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第3世代半導体：窒化ガリウム-江西誉鴻錦材料科技有限公司_ショットキーダイオード_ディープUVチップ
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商品詳細情報
| 管理番号 |
新品 ：43039229728
中古 ：43039229728-1 |
メーカー | cade4c0373886f | 発売日 | 2025-04-26 09:59 | 定価 | 24182円 | ||
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| カテゴリ | |||||||||
第3世代半導体：窒化ガリウム-江西誉鴻錦材料科技有限公司_ショットキーダイオード_ディープUVチップ
,「世界初」300mm GaNウエハー技術を開発、Infineon：シリコン並みの低コスト化に向け - EE Times Japan,窒化ガリウム（GaN）横型パワーデバイス 照明に続いてパワーエレクトロニクス分野でも省エネに貢献 須田 淳 名古屋大学 – 応用物理学会,第3世代半導体：窒化ガリウム-江西誉鴻錦材料科技有限公司_ショットキーダイオード_ディープUVチップ,3族窒化物半導体―カテゴリー1:エレクトロニクス材料・物性・デバイス (アドバンストエレクトロニクスシリーズ) : Amazon.es: Libros
「世界初」300mm GaNウエハー技術を開発、Infineon：シリコン並みの低コスト化に向け - EE Times Japan,窒化ガリウム（GaN）横型パワーデバイス 照明に続いてパワーエレクトロニクス分野でも省エネに貢献 須田 淳 名古屋大学 – 応用物理学会,第3世代半導体：窒化ガリウム-江西誉鴻錦材料科技有限公司_ショットキーダイオード_ディープUVチップ,3族窒化物半導体―カテゴリー1:エレクトロニクス材料・物性・デバイス (アドバンストエレクトロニクスシリーズ) : Amazon.es: Libros
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